RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905744-005.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2949
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link