RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.5
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3355
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link