RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB против SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
38
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.6
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1610
2382
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1869DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link