RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
56
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
56
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
20.1
Скорость записи, Гб/сек
8.2
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2455
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-467.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link