RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сравнить
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB против Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Средняя оценка
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
6.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
11.7
Скорость записи, Гб/сек
8.6
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2239
1832
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link