RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
71
Около 62% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
11.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
71
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.5
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
1767
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link