RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.4
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2511
2711
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB Сравнения RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link