RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
74
Около 62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
74
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
13.6
Скорость записи, Гб/сек
14.9
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3501
1616
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link