RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Сравнить
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2432
3473
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Сравнения RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link