RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Сравнить
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против AMD R748G2606U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Средняя оценка
AMD R748G2606U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
61
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R748G2606U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.9
1,905.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
61
Скорость чтения, Гб/сек
5,143.3
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,905.1
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
2028
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link