RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
35
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
35
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2613
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link