RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
54
Около 48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.9
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
54
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
10.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2226
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link