RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR5
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3392
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link