RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
51
Около -143% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
21
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
20.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
4170
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link