RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
51
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2781
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
UMAX Technology 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link