RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
52
Около 2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
52
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
10.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2236
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link