RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
51
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
22
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2580
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link