Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB против Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    30 left arrow 41
    Около -37% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 10
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.3 left arrow 7.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    23400 left arrow 10600
    Около 2.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    41 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.0 left arrow 16.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.2 left arrow 12.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 23400
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1210 left arrow 2709
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения