RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
92
Около -197% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
20.5
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3649
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD R938G2130U2S 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link