RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
36
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
18.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
3711
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link