RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
54
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2605
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link