RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
54
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.3
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
20.1
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3796
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link