RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
72
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
39
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
2600
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link