Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    38 left arrow 42
    Около -11% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.5 left arrow 10.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.9 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 10600
    Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    42 left arrow 38
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.6 left arrow 16.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 10.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2150 left arrow 2829
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения