RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
71
Около -145% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
22.8
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3792
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link