RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
71
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2399
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link