RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
54
Около 50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
54
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
10.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2226
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link