Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 20.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,069.2 left arrow 17.2
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    18 left arrow 106
    Около -489% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 5300
    Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    106 left arrow 18
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,273.7 left arrow 20.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,069.2 left arrow 17.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    734 left arrow 3814
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения