RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
42
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2001
2356
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link