RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB против G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
29
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
5.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
20
Скорость чтения, Гб/сек
9.0
20.3
Скорость записи, Гб/сек
5.7
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1274
3632
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Сравнения RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link