RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2922
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link