RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
62
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
62
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1891
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link