RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
43
Около -87% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
16.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2867
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link