RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против NSITEXE Inc Visenta 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
58
Около 26% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
14.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
58
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
18.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2025
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link