RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
59
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3409
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link