RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
59
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2553
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link