RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
59
Около -146% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.9
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3095
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link