RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
69
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
65
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
1836
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link