RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
58
Около -87% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
2918
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link