RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.5
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
20.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3936
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link