RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
20.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3593
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link