RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
46
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.7
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
34
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3145
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link