RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против AMD R7416G2400U2S 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
AMD R7416G2400U2S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R7416G2400U2S 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
60
Около -173% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
18.1
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3260
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
AMD R7416G2400U2S 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link