RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
60
Около -122% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
20.1
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3759
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link