RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
31
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3256
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link