RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3222
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link