RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
56
Около 50% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
56
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
20.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2455
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
OCZ OCZ2RPX8002G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link