RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
49
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
18.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
3288
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link