RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
49
Около -123% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
15.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2459
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link