RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
49
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23.7
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
23.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
19.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
4243
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link